万 茜

编辑:顾怡敏时间:2016-09-09点击数:

一、个人简介

万茜,男,1985年出生于江苏宜兴。2016年10月,担任江南大学物联网学院校聘教授。自2009年加入香港中文大学许建斌教授(杰青,长江学者)课题组以来,一直从事于二维材料领域(包括graphene,h-BN, TMDs)的研究,特别对用于大面积低成本制备二维材料化学气相沉积(CVD)系统的设计,搭建与改进,及其有效转移和光电器件物理,在实验和理论上完成了一系列研究工作,以第一作者身份撰写了多篇SCI论文,分别发表在Adv. Mater.(影响因子IF=17.493),Chem. Mater.(IF=8.354),Acs Nano(IF=12.881),Small(IF=8.368)等期刊上,SCI引用次数超过100次。在此期间,负责申请并参与了香港NSFC/RGC,GRF,CRF,ITF等5个科研与工业界研究项目。曾获香港中文大学2013年度博士后研究基金和教育部2014年度高校科学研究优秀成果自然科学奖二等奖(第三完成人)。

教育经历:

2009.08 - 2013.08香港中文大学电子工程学哲学博士;

2008.09 - 2009.06香港科技大学电子工程学理学硕士;

2004.09 - 2008.06南京大学电子信息科学与技术理学学士。

工作经历:

2013.10.07 - 2016.10.08香港中文大学电子工程学学系博士后研究员;

2013.09.01 - 2013.10.06香港中文大学电子工程学学系兼任助理研究员;

2009.06.01 - 2013.08.31香港中文大学电子工程学学系初级助理研究员。

代表性论文(#Equal contribution,*Corresponding author)

1) X. Wan#,K. Chen# ,Z. Chen,F. Xie, X. Zeng,W. Xie,J. Chen,J. Xu*, Electrochemical Deposition of Large-Area High-Quality MoS2on Graphene in Aqueous Solution2016(under review)

2) Kun Chen#,Xi Wan#*,J. Xu*, EpitaxialStitching and Stacking Growth of Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenide (TMDCs)Heterojunctions,Adv. Funct. Mater.2016(Revised)

3) X. Wan#, K. Chen#, W. Xie, J. Wen, H. Chen, J. B. Xu*, Quantitative Analysis of Scattering Mechanisms in Highly Crystalline CVD MoS2through a Self-Limited Growth Strategy by Interface Engineering,Small2016,12, 438-445.

4) K. Chen#,X. Wan#, W. Xie, J. Wen, Z. Kang, X. Zeng, H. Chen, J. Xu*, Lateral Built-In Potential of Monolayer MoS2–WS2In-Plane Heterostructures by a Shortcut Growth Strategy,Adv. Mater.2015,27, 6431-6437.

5) K. Chen#, X. Wan#, J. Wen, W. Xie, Z. Kang, X. Zeng, H. Chen, J. B. Xu*, Electronic Properties of MoS2–WS2Heterostructures Synthesized with Two-Step Lateral Epitaxial Strategy,Acs Nano2015,9, 9868-9876.

6) X. Wan#, K. Chen#,, J. Xu*, Interface engineering for CVD graphene: current status and progress,Small2014,10, 4443-4454.

7) X. Wan, K. Chen, J. Du, D. Q. Liu, J. Chen, X. Lai, W. G. Xie, J. B. Xu*, Enhanced Performance and Fermi-Level Estimation of Coronene-Derived Graphene Transistors on Self-Assembled Monolayer Modified Substrates in Large AreasJ. Phys. Chem. C2013,117, 4800-4807.

8) K. Chen#,X. Wan#, D. Liu, Z. Kang, W. Xie, J. Chen, Q. Miao, J. Xu*, Quantitative determination of scattering mechanism in large-area graphene on conventional and SAM-functionalized substrates at room temperatureNanoscale2013,5, 5784-5793.

9) K. Chen#,X. Wan#, J. B. Xu*, Controllable modulation of the electronic properties of graphene and silicene by interface engineering and pressure,J. Mater. Chem. C2013,1, 4869-4878.

10) X. Wan#, K. Chen#, D. Q. Liu, J. Chen, Q. Miao, J. B. Xu*, High-Quality Large-Area Graphene from Dehydrogenated Polycyclic Aromatic Hydrocarbons,Chem. Mater.2012,24, 3906-3915.

二、研究生教育

学术型研究生招生专业:微电子学与固体电子学

专业型研究生招生专业:集成电路工程

欢迎对新型二维半导体材料制备与器件物理感兴趣的同学报考。

专业背景要求:电子、微电子、材料、物理、化学等专业。

三、联系方式

通信地址:江苏省无锡市蠡湖大道1800号江南大学物联网工程学院

邮编:214122

Email:xwan@jiangnan.edu.cn;xwan@ee.cuhk.edu.hk.

技术支持:信息化建设与管理中心

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