万茜

编辑:杨茜时间:2018-07-05点击数:

一、个人简介

万茜,男,1985年出生于江苏宜兴。2016年10月,担任江南大学物联网学院校聘教授。自2009年加入香港中文大学许建斌教授课题组以来,一直从事于二维材料领域(包括graphene,h-BN, TMDs)的研究,特别对用于大面积低成本制备二维材料化学气相沉积(CVD)系统的设计,搭建与改进,及其有效转移和光电器件物理,在实验和理论上完成了一系列研究工作,以第一作者/共同第一作者身份撰写了多篇SCI论文,分别发表在Adv. Mater.Adv. Funct. Mater.Chem. Mater.Acs NanoSmall等期刊上,SCI引用次数超过100次。在此期间,负责申请并参与了香港NSFC/RGC, GRF, CRF,ITF等多个科研与工业界研究项目。曾获香港中文大学2013年度博士后研究基金和教育部2014年度高校科学研究优秀成果自然科学奖二等奖(第三完成人)。2017年获江苏省自然科学基金青年项目,并入选江苏省双创博士。

二、教育经历:

2009.08 - 2013.08香港中文大学电子工程学哲学博士;

2008.09 - 2009.06香港科技大学电子工程学理学硕士;

2004.09 - 2008.06南京大学电子信息科学与技术理学学士。

三、工作经历:

2013.10.07 - 2016.10.08香港中文大学电子工程学学系博士后研究员;

2013.09.01 - 2013.10.06香港中文大学电子工程学学系兼任助理研究员;

2009.06.01 - 2013.08.31香港中文大学电子工程学学系初级助理研究员。

四、代表性论文

第一作者/共同一作发表SCI论文

[1] X. Wan#, K. Chen#, Z. Chen, F. Xie, X. Zeng, W. Xie, J. Chen, J. Xu. Controlled Electrochemical Deposition of Large-Area MoS2 on Graphene for High-Responsivity Photodetectors.Adv. Funct. Mater. 2017, 27(19): 1603998.

[2] K. Chen#, X. Wan#*, J. Xu.* Epitaxial Stitching and Stacking Growth of Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenides (TMDCs) Heterojunctions.Adv. Funct. Mater. 2017, 27(19): 1603884.

[3] X. Wan#, K. Chen#, W. Xie, J. Wen, H. Chen, J. B. Xu. Quantitative Analysis of Scattering Mechanisms in Highly Crystalline CVD MoS2 through a Self-Limited Growth Strategy by Interface Engineering.Small 2016, 12(4): 438-445.

[4] K. Chen#, X. Wan#, W. Xie, J. Wen, Z. Kang, X. Zeng, H. Chen, J. Xu. Lateral Built-In Potential of Monolayer MoS2-WS2 In-Plane Heterostructures by a Shortcut Growth Strategy.Adv. Mater. 2015, 27(41): 6431-6437.

[5] K. Chen#, X. Wan#, J. Wen, W. Xie, Z. Kang, X. Zeng, H. Chen, J. B. Xu. Electronic Properties of MoS2-WS2 Heterostructures Synthesized with Two-Step Lateral Epitaxial Strategy.ACS Nano 2015, 9(10): 9868-9876.

[6] X. Wan#, K. Chen#, J. Xu. Interface engineering for CVD graphene: current status and progress.Small 2014, 10(22): 4443-4454.

[7] X. Wan, K. Chen, J. Du, D. Liu, J. Chen, X. Lai, W. Xie, J. Xu. Enhanced Performance and Fermi-Level Estimation of Coronene-Derived Graphene Transistors on Self-Assembled Monolayer Modified Substrates in Large Areas.J. Phys. Chem. C 2013, 117(9): 4800-4807.

[8] K. Chen#, X. Wan#, J.-B. Xu. Controllable modulation of the electronic properties of graphene and silicene by interface engineering and pressure.J. Mater. Chem. C 2013, 1(32): 4869.

[9] K. Chen#, X. Wan#, D. Liu, Z. Kang, W. Xie, J. Chen, Q. Miao, J. Xu. Quantitative determination of scattering mechanism in large-area graphene on conventional and SAM-functionalized substrates at room temperature.Nanoscale 2013, 5(13): 5784-5793.

[10] X. Wan#, K. Chen#, D. Liu, J. Chen, Q. Miao, J. Xu. High-Quality Large-Area Graphene from Dehydrogenated Polycyclic Aromatic Hydrocarbons.Chem. Mater. 2012, 24(20): 3906-3915.

合作作者发表SCI论文

[1] X. Zhang, H. Nan, S. Xiao, X. Wan, Z. Ni, X. Gu, K. Ostrikov. Shape-Uniform, High-Quality Monolayered MoS2 Crystals for Gate-Tunable Photoluminescence.ACS Appl. Mater. Interfaces 2017, 9(48): 42121-42130.

[2] Y. Wang, X. Du, J. Wang, M. Su, X. Wan, H. Meng, W. Xie, J. Xu, P. Liu. Growth of Large-Scale, Large-Size, Few-Layered alpha-MoO3 on SiO2 and Its Photoresponse Mechanism.ACS Appl Mater Interfaces 2017, 9(6): 5543-5549.

[3] K. Chen, Z. Chen, X. Wan, Z. Zheng, F. Xie, W. Chen, X. Gui, H. Chen, W. Xie, J. Xu. A Simple Method for Synthesis of High-Quality Millimeter-Scale 1T' Transition-Metal Telluride and Near-Field Nanooptical Properties.Adv. Mater. 2017, 29(38): 1700704.

[4] T. Zhang, M. Long, K. Yan, X. Zeng, F. Zhou, Z. Chen, X. Wan, K. Chen, P. Liu, F. Li, T. Yu, W. Xie, J. Xu. Facet-Dependent Property of Sequentially Deposited Perovskite Thin Films: Chemical Origin and Self-Annihilation.ACS Appl. Mater. Interfaces 2016, 8(47): 32366-32375.

[5] J. Wang, Z. Cheng, Z. Chen, X. Wan, B. Zhu, H. K. Tsang, C. Shu, J. Xu. High-responsivity graphene-on-silicon slot waveguide photodetectors.Nanoscale 2016, 8(27): 13206-13211.

[6] L. Liu, K. Xu, X. Wan, J. Xu, C. Y. Wong, H. K. Tsang. Enhanced optical Kerr nonlinearity of MoS_2 on silicon waveguides.Photonics Res.2015, 3(5): 206.

[7] Z. Chen, Z. Cheng, J. Wang, X. Wan, C. Shu, H. K. Tsang, H. P. Ho, J.-B. Xu. High Responsivity, Broadband, and Fast Graphene/Silicon Photodetector in Photoconductor Mode.Adv. Opt. Mater.2015, 3(9): 1207-1214.

[8] W.-G. Xie, X. Lai, X.-M. Wang, X. Wan, M.-L. Yan, W.-J. Mai, P.-Y. Liu, J. Chen, J.-b. Xu. Influence of Annealing on Raman Spectrum of Graphene in Different Gaseous Environments.Spectrosc. Lett. 2014, 47(6): 465-470.

[9] M. Wang, S. Zheng, X. Wan, Y. Su, N. Ke, N. Zhao, K. Y. Wong, J. Xu. Limit of Voc in polymeric bulk heterojunction solar cells predicted by a double-junction model.Sol. Energ. Mat. Sol. C. 2013, 108(0): 17-21.

五、研究生教育

学术型研究生招生专业:微电子学与固体电子学;

专业型研究生招生专业:集成电路工程;

专业背景要求:电子信息科学与技术、微电子、材料、物理、化学等专业。

六、联系方式

通信地址:江苏省无锡市蠡湖大道1800号 江南大学物联网工程学院B105

邮编:214122

Email:xwan@jiangnan.edu.cn

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